掃描探針顯微鏡不是簡單成像的顯微鏡,而是可以用于在原子、分子尺度進(jìn)行加工和操作的工具。掃描探針顯微鏡的應(yīng)用領(lǐng)域是寬廣的,無論是物理、化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)等基礎(chǔ)學(xué)科,還是材料、微電子等應(yīng)用學(xué)科都有用武之地。
掃描探針顯微鏡主要可分為掃描隧道顯微鏡(STM)、原子力顯微鏡(AFM)、力調(diào)制顯微鏡(FMM)、相位檢測顯微鏡(PDM)、靜電力顯微鏡(EFM)、電容掃描顯微鏡(SCM)、熱掃描顯微鏡(SThM)和近場光隧道掃描顯微鏡(NSOM)等各種系列顯微鏡。
這些顯微鏡都是基于探針在被測樣本表面上進(jìn)行橫向和縱向掃描,并檢測探針針頭與樣品表面之間相關(guān)檢測量變化的原理研制的設(shè)備,因此,以上各系列顯微鏡被統(tǒng)稱掃描探針顯微鏡(SPM)。
掃描隧道顯微鏡(STM)的基本原理是基于量子隧道效應(yīng)。當(dāng)針尖和試樣面間距離足夠小時(shí)(<0.4nm),在針尖和試樣面間施加一偏置電壓,便會(huì)產(chǎn)生隧道效應(yīng),電子在針尖和試樣面之間流動(dòng),形成隧道電流。
在相同的偏置電壓作用下,隨著探針同試樣面間的距離減小,隧道電流很快增大(可增大1~2個(gè)數(shù)量級(jí)),同時(shí)針尖原子和試樣面原子的電子云部分重疊,使兩者之間的相互作用大大增強(qiáng)。由于隧道電流隨距離呈指數(shù)形式變化,因此,試樣面上由于電子排列形成的“凸凹不平”表面導(dǎo)致隧道電流劇烈的變化。檢測變化的隧道電流并經(jīng)計(jì)算機(jī)處理,便能得到試樣面的原子排列情況。
原子力顯微鏡(AFM)基本原理是由于試樣面原子排列產(chǎn)生“凸凹不平”,當(dāng)探針在水平方掃描時(shí),針尖同試樣面間的距離在垂直方向便會(huì)產(chǎn)生變化。由固體物理學(xué)理論可知,當(dāng)探針針尖同試樣面很近時(shí),其間會(huì)產(chǎn)生原子間力。針尖同試樣面間垂直方向的變化距離導(dǎo)致針尖同試樣面間原子間力的變化。變化的原子間力引起懸臂梁在垂直方向發(fā)生振動(dòng),因此,利用激光束的偏轉(zhuǎn)可檢測出針尖同試樣面間變化的原子間力。將激光束的偏轉(zhuǎn)信號(hào)輸入計(jì)算機(jī)中進(jìn)行處理,可得到試樣面的表面信息。在試樣面下方裝有壓電材料,用以接受計(jì)算機(jī)輸出的反饋信號(hào),調(diào)節(jié)試樣面的高度,以達(dá)到保護(hù)探針針尖的目的。
由于原子力顯微鏡是基于原子間力的理論,因此,被測試樣面由導(dǎo)體和半導(dǎo)體擴(kuò)展到絕緣體領(lǐng)域,其橫向分辨率可達(dá)0101nm。目前根據(jù)探針針尖同試樣面的接觸情況,將原子力顯微鏡的接觸形式分為接觸型(C型)、非接觸型(NC型)、間歇接觸型(IC型)。
力調(diào)制顯微鏡(FMM)探針針尖以接觸形式同被測試樣面相接觸。為保持探針同試樣面恒定接觸,使懸臂梁保持恒定彎曲,需將經(jīng)計(jì)算機(jī)處理后的反饋信號(hào)送給懸臂梁。由于試樣面的局部彈性有差異,經(jīng)調(diào)制后的探針振動(dòng)信號(hào)隨試樣面局部彈性的不同而變化,因此,通過測量振幅的變化量可得到試樣面的局部彈性情況。探針?biāo)有盘?hào)為100~1000kHz,要略高于反饋信號(hào)。
力調(diào)制顯微鏡的*大特點(diǎn)是可測量表面的彈性變化情況,其橫向分辨率要高于原子力顯微鏡一個(gè)數(shù)量級(jí)。
相位檢測顯微鏡(PDM)在試樣面上施加輸入信號(hào),則在懸臂梁上有相應(yīng)的輸出信號(hào)。將兩種信號(hào)同時(shí)輸入計(jì)算機(jī)中進(jìn)行處理,可得到試樣面的表面特性。
相位檢測顯微鏡的特點(diǎn)是接觸面處的接觸方式既可以是接觸型、非接觸型,也可以是間歇接觸型??蓹z測出表面的彈性情況、粘性情況和摩擦情況。
靜電力顯微鏡(EFM)中,探針同試樣面的接觸情況為非接觸型。當(dāng)探針在試樣面上進(jìn)行掃描時(shí),由于試樣面上電荷密度有差異,探針和試樣面間形成的靜電力隨掃描區(qū)域的不同而變化,因此,通過測量懸臂梁的振幅變化量可得到試樣面的表面電荷分布情況。該項(xiàng)技術(shù)由于被用于微處理器等深亞微米芯片檢測而被稱為“電荷探針”。
電容掃描顯微鏡(SCM)中探針同試樣面的接觸方式為接觸型的。當(dāng)探針在試樣面上掃描時(shí),由于針尖同試樣面間的介電常數(shù)隨掃描區(qū)域的不同而發(fā)生變化,從而導(dǎo)致接觸面處電容的變化。通過測量變化的電容,可獲得試樣面的介電常數(shù)分布情況。
電容掃描顯微鏡的特點(diǎn)是不僅可以測量表層的介電常數(shù)分布,還可以測量深層的介電常數(shù)分布。
熱掃描顯微鏡(SThM)在接觸處的接觸方式為非接觸型。掃描隧道顯微鏡的懸臂梁由熱膨脹系數(shù)較大的材料制成。當(dāng)探針在試樣面上掃描時(shí),由于 試樣面上不同的熱量分布導(dǎo)致懸臂梁的變形量不同,通過測量懸臂梁的振動(dòng)變化可得到試樣面上熱的分布情況。
近場光隧道掃描顯微鏡(NSOM)中,探針被固定,試樣面利用壓電技術(shù)進(jìn)行掃描。針尖被做成音插形狀,以提高靈敏度。近場光隧道掃描顯微鏡可測量幾個(gè)納米的近場,對(duì)于次長波信息,分辨率可達(dá)5~20nm。